RAM 的历史:起源、发明、用途,以及从磁芯存储到 DDR5 的各个世代
每次打开程序、在浏览器标签页之间切换或玩游戏时,电脑都会把临时数据保存在内存中。程序结束或关机后,这些数据就会消失。这种内存就是 RAM(随机存取存储器,Random Access Memory),从早期的计算机到今天,它一直决定着机器的反应速度。本文讲述 RAM 如何开始,如何工作,如何经过各代演进,以及在实际使用中应该如何选择。
RAM 是什么,它与存储有何区别
RAM 是处理器可以直接、快速读写的内存。无论数据位于哪个位置,访问所需的时间大致相同。“随机”(Random)一词描述的正是这种能力,与必须卷动到特定位置才能读取的磁带形成对比。
RAM 应与硬盘、SSD 等存储设备区分开来。RAM 快得多,但断电后内容会丢失。存储设备较慢,却能永久保存数据。打个比方,RAM 像书桌,能放下大量当前正在处理的东西;存储则像文件柜,能长期保存文件,但取出来要花更多时间。
早期计算机:阴极射线管、水银延迟线与磁芯存储
在存储芯片出现之前,早期的计算机设计者必须找到其他办法来保存数据。1948 年,曼彻斯特大学的 Small-Scale Experimental Machine 使用了威廉姆斯管,这是一种把比特保存为屏幕上电荷点的阴极射线管。这种存储速度快,但不可靠,因为电荷会逐渐消失,必须不断刷新。
另一种方法是水银延迟线,它让信号在充满水银的管道中传播,数据会循环往复,直到需要时才被读取。英国的 EDSAC 和美国的 UNIVAC 等机器采用过这种方式,但需要等待数据循环回来,访问速度因此很慢。
最成功的早期技术是磁芯存储器(Magnetic core memory),1950 年代初由麻省理工学院在 Jay Forrester 带领下,为 Whirlwind 计算机开发。它由成千上万个串着导线的微小铁氧体环组成,每个环通过磁场的方向(顺时针或逆时针)存储一个比特。磁芯存储即使断电也能保留内容,因此尽管制造费时费力、成本高昂,它仍被使用了几十年。虽然计算机中早已不再有磁芯,但“core”一词至今仍保留在技术用语中。
从晶体管到 DRAM 芯片
1960 年代,晶体管和集成电路日益普及,在硅芯片上存储数据的想法随之出现。1966 年,IBM 的 Robert Dennard 提出了 DRAM(动态随机存取存储器,Dynamic RAM)的原理:每个比特以电荷的形式保存在一个微小电容器中,并与一个晶体管配对。这种设计非常节省空间,但电荷会随时间泄漏,因此数据必须定期刷新,这也是该技术名称“动态”的由来。
第一款正式上市销售的 DRAM 芯片是 1970 年推出的 Intel 1103,容量为 1 千比特。它的价格和可靠性不断提高,到 1970 年代初,磁芯存储开始被取代。其他厂商也陆续推出更大容量的芯片。Mostek 的 MK4096 是一款 4 千比特芯片,1973 年问世;1977 年推出的 MK4116 为 16 千比特,成为许多早期计算机的标准部件。
与 DRAM 并存的还有 SRAM(静态随机存取存储器,Static RAM),它使用晶体管保存数据,无需刷新。稳定状态下它更快,耗电也更少,但每个比特需要更多晶体管,因此更贵、容量也更小。SRAM 成为处理器缓存的标准,而 DRAM 则用作系统的主存。
早期个人电脑时代:从 16 千字节到数兆字节
1981 年的 IBM PC 基础内存为 16 或 64 千字节,DRAM 芯片要一颗一颗焊接在主板上。扩充内存意味着逐个添加芯片,有时还要用户自己动手。
1980 年代中期,一种新设计把多颗芯片集成到小电路板上,称为 SIMM(单列直插内存模块,Single In-line Memory Module)。最早的 SIMM 有 30 个触点,安装容易得多。1990 年代中期,72 针 SIMM 取代了它,提供 32 位数据通道,适合 486 和 Pentium 时代的处理器。
当时的容量仍然很小。1990 年代初,4 兆字节的计算机就被认为足够用了。1995 年发布的 Windows 95 建议至少配备 8 兆字节,实际上很多机器需要更多。普通用户开始关注电脑内存容量,正是从这时开始的。
SDRAM:与时钟同步的内存
早期的 DRAM 是异步的,不跟随系统时钟,因此处理器经常需要等待。1990 年代,FPM DRAM 和 EDO DRAM 逐步提高了读取速度。更大的进步是 SDRAM(同步动态随机存取存储器,Synchronous DRAM),它把内存操作与系统时钟绑定,使读写能够更有效地与处理器配合。
SDRAM 在 1990 年代初开始普及,到 1997 年,168 针 DIMM 已成为标准。DIMM 提供 64 位数据通道,使内存扩充比之前的模块更加有效。同一时期,Rambus 推广 RDRAM,并在一段时间内得到 Intel 的支持。但由于价格高昂、产量有限,它的普及程度远不及支持者的预期。
DDR 以及每隔几年更新的世代
双倍数据速率(Double Data Rate,即 DDR)在时钟信号的上升沿和下降沿都传输数据,因此无需大幅提高时钟频率就能使数据速率翻倍。DDR SDRAM 于 2000 年由 JEDEC 标准化,并在同年上市,工作电压为 2.5 伏。
此后,DDR 标准大约每五到七年推出一代新规格。每一代都降低工作电压以节省电力、减少发热,同时提高数据速率。
- **DDR(2000 年):** 2.5 伏,初始速度约为 200 至 400 MT/s
- **DDR2(2003–2004 年):** 1.8 伏,速度可达 800 MT/s 甚至更高
- **DDR3(2007 年):** 1.5 伏,常见速度为 1600 至 2133 MT/s
- **DDR4(2014 年):** 1.2 伏,常见速度为 2133 至 3200 MT/s,单条容量更大
- **DDR5(2020 年):** 1.1 伏,新标准,每条模块有两个独立的数据通道,起始速度明显高于 DDR4
每一代的金手指缺口位置都不同,因此即使两者外观很像,一代的内存条通常也无法插入为另一代设计的主板。这就是为什么 RAM 必须与主板匹配。
SO-DIMM、ECC 与 LPDDR
笔记本电脑使用一种称为 SO-DIMM 的小型模块,长度约为台式机 DIMM 的一半,以便装入更薄的机身。
需要高可靠性的服务器和工作站使用 ECC(纠错码,Error-Correcting Code)内存。它包含额外的电路,用于检测并纠正由辐射或电噪声引起的比特错误。ECC 与非 ECC 内存的基本原理相同,但 ECC 多出的芯片用于保存校验数据。
智能手机和平板电脑使用 LPDDR(低功耗 DDR,Low Power DDR),它的设计目标是尽可能省电,使电池更耐用。在许多情况下,它直接焊接在芯片封装上,无法单独更换。
显卡内存与 HBM
显卡使用一种为极高带宽而设计的内存,称为 GDDR,已经历 GDDR5、GDDR6、GDDR6X 和 GDDR7 等发展。GDDR 强调每秒传输大量数据,而不是低延迟,因此适合图形处理和大规模并行计算。
在人工智能和高性能服务器中,则使用 HBM(高带宽内存,High Bandwidth Memory)。它把多颗 DRAM 芯片垂直堆叠,并通过非常宽的接口与处理器相连。单位面积的带宽远高于 GDDR,但制造成本高昂且工艺复杂。
容量与速度随时间的变化
早期的普通计算机内存以千字节计。如今,普通个人电脑的内存为 8 到 32 吉字节,工作站和服务器则可能达到数百吉字节。DRAM 容量随着晶体管微缩和堆叠技术而增长,但微缩每年都变得更加困难、成本更高,因此容量增长相比早期已经放缓。
用户实际感受到的速度,主要取决于数据速率和延迟。延迟常用 CL 表示,即从发出命令到数据可用之间的时钟周期数。在相同数据速率下,CL 越小响应越快,因此单看频率数字并不能说明全部情况。
RAM 在系统中如何工作
处理器并不是每次需要数据都去读取 RAM。它有 L1、L2、L3 等多级缓存,把常用数据保存在靠近核心的地方。当所需数据不在缓存中时,才去 RAM 取数,而 RAM 比缓存慢许多倍。如果 RAM 中也没有,操作系统就会使用虚拟内存,借用一部分存储空间代替,这又慢得多。系统如果频繁地来回交换数据,立刻就会感到卡顿。
操作系统把 RAM 划分为页面(page)分配给各个程序进行管理。如果总需求超过实际容量,部分页面会被临时写入磁盘。这就是为什么同时打开太多程序会让电脑变慢。
厂商与价格波动
DRAM 市场由少数几家厂商主导,包括 Samsung、SK hynix 和 Micron。这个市场的价格有明显的涨跌周期。产能超过需求时,价格迅速下跌;需求超过供应时,价格就会上涨。因此,爱好者常常会在短时间内看到内存价格大幅变化。
根据用途选择 RAM
选择 RAM 时,不应只看容量数字,而应综合考虑多个因素。
- **类型:** DDR4 和 DDR5 的缺口位置不同,不能互换。购买前一定要确认主板支持的类型。
- **容量:** 网页浏览和一般办公,8 到 16 吉字节即可。视频剪辑、大型软件开发或高负载游戏,可能需要 32 吉字节或更多。
- **模块数量:** 在总容量相同的情况下,以双通道方式使用两条模块,通常比单条提供更大的带宽。请按主板手册成对安装。
- **速度:** 更高的速度对某些工作有帮助,尤其是游戏和带宽密集型处理。但当系统内存不足时,增加容量带来的提升通常比提高速度更明显。
- **ECC:** 服务器以及不允许数据损坏的场合必需。不支持 ECC 的普通台式机无法使用。
从 RAM 历史中得到的启示
- 快速的临时存储是计算机的核心。从阴极射线管到 DDR5,这个问题始终没有改变。
- 微缩和增加容量确实可以实现,但成本与发展速度并不总是呈直线关系。
- 像 JEDEC DDR 标准这样任何厂商都能遵循的公开标准,比由单一公司掌控的标准更能推动市场成长。
- 降低电压是现代 RAM 的一贯方向,有助于减少发热和能耗。
结语
从 1950 年代的阴极射线管和磁芯,到今天的 DDR5 芯片,RAM 已经从庞大昂贵的设备,发展为小巧、廉价、快速的标准部件。了解它的结构,有助于你选择和维护自己的机器,也能理解为什么增加内存有时比更换处理器更能明显改善使用的流畅度。